Fujitsu bringt neuen 8-Mbit-FRAM auf den Markt, der eine Schreibdauer von bis zu 100 Trillionen Mal garantiert

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Bis zu 100 Trillionen Schreib- und Lesezyklen sollen mit dem neuen Fujitsu 8-Mbit-FRAM möglich sein. Es handelt sich dabei um einen nichtflüchtigen Speicher aus dem Hause Fujitsu.

Neuer Fujitsu 8-Mbit-FRAM begeistert Experten

Der 4-Mbit-FRAM ist schon seit Mitte 2021 auf dem Markt, jetzt gibt es die ersten Evaluierungsmuster des neuen Fujitsu 8-Mbit-FRAM, der ideal für den Einsatz in Hochleistungsanlagen in der Industrie ist. Dort, wo es auf Tempo ankommt, ist der Fujitsu 8-Mbit-FRAM optimal anwendbar, denn er soll bis zu 30 Prozent weniger Betriebsstrom verbrauchen und deutlich schneller sein als der bisher verwendete SRAM.

Die Fujitsu Group hat über die Fujitsu Memory Solution Ltd. einen nichtflüchtigen Speicher auf den Markt gebracht, der zusätzlich zum eingesparten Betriebsstrom auch deutlich weniger Gesamtstrom verbraucht.

Einzelheiten zum Fujitsu 8-Mbit-FRAM (Video)

Der Fujitsu 8-Mbit-FRAM setzt an der Technik des mittlerweile seit mehr als 20 Jahren angewendeten FRAM an. Dieser ist ein nichtflüchtiges Speicherprodukt und wartet mit überlegenen Eigenschaften in Bezug auf die Schreib- und Lesedauer und auf den Stromverbrauch auf. Dies alles kann nun mit dem 8-Mbit-FRAM noch einmal verbessert werden.

Geboten werden hier eine parallele Schnittstelle sowie Eigenschaften, die bei derartigen Produkten von Kunden besonders häufig gefragt werden. So zählen die rasche Lese- und Schreibgeschwindigkeit dazu, außerdem die Kompatibilität zu SRAM. Derzeit gilt der Fujitsu 8-Mbit-FRAM als einzigartig auf dem Markt und muss nun noch beweisen, dass er dieses Prädikat auch verdient hat.

Der Versorgungsspannungsbereich liegt zwischen 1,8 und 3,6 Volt und ist damit sehr weit angelegt. Außerdem ist der FRAM der erste aus dem Hause Fujitsu, der bis zu 100 Trillionen Lese- und Schreibzyklen garantiert.

Der Fast-Page-Modus wartet zudem mit einer besonders hohen Nutzungsgeschwindigkeit von bis zu 25 Nanosekunden auf, außerdem sind der maximale Schreibstrom von 18 mA und der maximale Strom im Stand-by von 150 µA zu nennen. Untergebracht ist der FRAM in einem ähnlichen Gehäuse wie der 4-Mbit-FRAM, nämlich in einem 44-poligen TSOP-Gehäuse.

Der große Vorteil lieg bei diesem 8-Mbit-FRAM unter anderem darin, dass eine Datensicherungsbatterie, wie sie für SRAM üblich ist, in vielen Fällen entfallen kann. Behoben ist auch das bisherige Problem, dass zusätzliche Arbeiten für die Änderung des bis dato genutzten Designs der Schnittstellen und des PCB-Designs nötig sind.

Wird FRAM verwendet, sind SRAM-Schnittstelle und SRAM-Paket kompatibel. Designeinschränkungen sind nicht mehr nötig, denn die Schreibzyklen von bis zu 100 Trillionen lassen keinerlei Einschränkung beim Design zu bzw. machen diese unnötig.

Video: Fujitsu Launches New 8Mbit FRAM Guaranteeing Writing Endurance up to 100 Trillion Times

Über Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited

Das Unternehmen steht dafür, leistungsstarke Produkte zu entwickeln, die ganz im Sinne der Nachhaltigkeit stehen. Auch weiterhin wird die Fujitsu Limited an Produkten arbeiten, die sich durch ihren niedrigen Stromverbrauch und die Ausrichtung auf Kundenbedürfnisse auszeichnen. Sie sollen vor allem leistungsstark und umweltverträglich sein, außerdem für eine deutliche Reduzierung des CO2-Ausstoßes stehen.

Damit ist die Herstellung von umweltfreundlichen Speicherprodukten erklärtes Unternehmensziel. Weitere Informationen gibt es hier:

Pressekontakt der Unternehmenszentrale in Deutschland
Fujitsu Technology Solutions GmbH
Mies-van-der-Rohe-Straße 8
80807 München
Deutschland
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Product Marketing: Felicitas Birkner
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